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Grande Notícia: O projeto da equipe de Jiang Fengyi ganha o Primeiro Prêmio no Prêmio Nacional de Ciências Naturais! Vários projetos na área de iluminação também recebem prêmios

Fonte: 中国之光网 Leituras: 1353

Em 8 de julho de 2026, os Prêmios Nacionais de Ciência e Tecnologia de 2025 foram anunciados em Pequim. Os três grandes prêmios selecionaram um total de 258 projetos, incluindo 51 projetos do Prêmio Nacional de Ciências Naturais (3 primeiros prêmios, 48 segundos prêmios); 58 projetos do Prêmio Nacional de Invenção Tecnológica (3 primeiros prêmios: 1 projeto geral, 2 projetos especializados; 55 segundos prêmios: 40 projetos gerais, 15 projetos especializados); 149 projetos do Prêmio Nacional de Progresso Científico e Tecnológico (3 prêmios especiais: 1 projeto geral, 2 projetos especializados; 13 primeiros prêmios: 11 projetos gerais, 2 projetos especializados; 133 segundos prêmios: 108 projetos gerais, 25 projetos especializados).


Entre eles, o campo de iluminação LED ganhou múltiplos prêmios.


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O projeto da equipe do acadêmico Jiang Fengyi venceu o Prêmio Nacional de Ciências Naturais Primeira Classe



Universidade de Nanchang Acadêmico Jiang Fengyi equipe concluiu o projeto "Junção PN tridimensional com defeito em V e aplicação" e venceu o Prêmio Nacional de Ciências Naturais Primeiro Prêmio.


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O projeto pertence à pesquisa básica aplicada, aprofundando-se em LED baseado em GaN de silício , saindo da linha de extensão das rotas tecnológicas estrangeiras, traçando um novo caminho de P&D independente, propondo novos métodos teóricos, alcançando um salto no nível técnico, começando da pesquisa básica até alcançar a comercialização.


O projeto descobriu que na região de poço quântico deste material, a estrutura tridimensional de defeito em V de grande tamanho induzida por discordâncias tem efeitos benéficos como melhorar a injeção de buracos no poço quântico e aumentar a qualidade do poço quântico, quebrando a cognição tradicional de que "menos/desmaiores discordâncias são melhores." Propôs o método teórico de junção PN tridimensional com defeito em V, desenvolvendo a interface da junção PN de duas dimensões para três dimensões, mudando o caminho de injeção de buracos no poço quântico de superfícies polares de alta barreira para superfícies semipolares de baixa barreira , transformando os defeitos em V de ter "grande dano" para "pequeno dano", e finalmente desenvolvendo-os para ter "grande utilidade." Consequentemente, melhorando significativamente a eficácia luminosa dos LEDs amarelos, a eficácia luminosa dos LEDs vermelhos de GaN e a eficiência de injeção elétrica dos LEDs azul-esverdeados.


O projeto abriu uma nova rota tecnológica de iluminação LED com chip puro (sem fósforo), com produtos aplicados em massa em cenários de iluminação de estradas e pontes e iluminação ambiente. O projeto mostra que os chips de display são aplicados em massa em equipamentos especiais. O projeto conseguiu a integração em nível de wafer de LEDs de GaN baseados em silício com wafers de circuitos de silício, desenvolvendo com sucesso displays microscópicos e os primeiros óculos AR de luz amarela .


Vale mencionar que os métodos teóricos propostos pelo projeto em uma rota não consensual foram reconhecidos por pares internacionais e promovidos para aplicação na rota consensual com grande escala e ampla abrangência, melhorando assim seu nível técnico e impulsionando o desenvolvimento das disciplinas de iluminação emissora de semicondutores e da indústria de exibição e iluminação de estado sólido (SSL).


Vale mencionar que desta vez, pela primeira vez nos prêmios nacionais de ciência e tecnologia, três primeiros prêmios do Prêmio Nacional de Ciências Naturais foram selecionados, refletindo a implementação efetiva da estratégia da China para fortalecer a pesquisa básica e focar na inovação original.


本次获奖既是江风益院士团队在知识创新与技术创新方面交出的一份答卷,也是南昌大学全校师生践行科技自立自强的生动体现。


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Introdução aos principais contribuintes do projeto


Jiang Fengyi , Professor da Universidade de Nanchang, Diretor do Laboratório de Nanchang, Acadêmico da Academia Chinesa de Ciências (Departamento de Ciência da Tecnologia da Informação). Primeiro contribuinte do projeto. Comprometido há muito tempo com a pesquisa de LED de nitreto de gálio baseado em silício, perseguindo a luz por mais de trinta anos, liderando a equipe para alcançar uma ruptura completa da teoria básica à industrialização.

Zhang Jianli, Pesquisador da Universidade de Nanchang, Cientista Chefe do Laboratório de Nanchang. Segundo responsável pela conclusão do projeto.

Xu Longquan, Professor da Universidade de Nanchang, Vice-diretor do Laboratório de Nanchang. Terceiro responsável pela conclusão do projeto.

Quan Zhijue, Pesquisador da Universidade de Nanchang. Quarto responsável pela conclusão do projeto.

Wu Xiaoming, Pesquisador da Universidade de Nanchang, Engenheiro Chefe do Laboratório de Nanchang. Quinto responsável pela conclusão do projeto.

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Prêmio Nacional de Invenção Técnica de Segundo Grau


Após análise, nos Prêmios Nacionais de Ciência e Tecnologia de 2025, além do Primeiro Prêmio de Ciências Naturais concedido à equipe do acadêmico Jiang Fengyi, vários projetos relacionados à iluminação de estado sólido (SSL) também receberam prêmios:


Nome do projeto: Tecnologia-chave de substrato para dispositivos emissores de luz baseados em GaN

Principais colaboradores: Wang Xinqiang, Zhang Guoyi, Kang Kai, Li Dongsan, Yu Tongjun, Yuan Ye
主要完成单位:北京大学、东莞市中镓半导体科技有限公司、广东中图半导体科技股份有限公司、北方华创微电子装备有限公司、松山湖材料实验室

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Dispositivos emissores de luz baseados em GaN desencadearam uma nova revolução nas tecnologias de iluminação e exibição, tornando-se o ponto alto da competição tecnológica e industrial global. O substrato é a base fundamental dos dispositivos emissores de luz baseados em GaN. A equipe do projeto tomou a inovação da tecnologia de substratos para dispositivos emissores de luz baseados em GaN como linha principal de pesquisa, formou um sistema-chave de tecnologia de substratos com direitos de propriedade intelectual independentes, desenvolveu uma série de produtos de substratos e equipamentos de apoio, melhorou significativamente o desempenho dos dispositivos, alcançou um salto de "ser controlado por outros" para "liderar independentemente", e forneceu suporte sólido para que a China ocupe uma posição dominante na indústria global de iluminação verde e exibição.

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Nome do projeto: Preparação de materiais semicondutores de alto desempenho baseados em nitreto de alumínio e tecnologias-chave para chips optoeletrônicos

Principais contribuintes: Li Dabing, Sun Xiaojuan, Jiang Ke, WU LIANG, Xu Chunyang, Ben Jianwei
Unidades principais concluintes: Instituto de Óptica, Mecânica Fina e Física de Changchun, Academia Chinesa de Ciências; Aoqu Optoelectronics Technology (Hangzhou) Co., Ltd.; Chuyun Precision Engineering Technology (Shanghai) Co., Ltd.

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Este projeto supera a tecnologia de substratos de alta condutividade térmica para circuitos integrados de radiofrequência de alta frequência, melhora significativamente a capacidade de dissipação de calor de dispositivos de radiofrequência de alta potência, aumenta a potência e estabilidade de equipamentos de radiofrequência e é usado para dispositivos optoeletrônicos de radiofrequência de alta potência e ultravioleta.


Fonte do material: Universidade de Nanchang, internet, etc., compilada de forma abrangente


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