863计划“GaN基同质衬底外延材料生长技术”课题通过验收

　　“十一五”863计划“半导体照明工程”重大项目课题“GaN基同质衬底外延材料生长技术”取得显著成果，日前顺利通过验收。

　　在863计划支持下，课题承担单位北京大学研究开发了高质量GaN表面处理技术，通过优化LED外延结构、芯片结构和工艺过程，掌握了可重复的高质量GaN衬底及同质外延的核心技术，并开展了高性能LED制备技术研究。

　　基于上述技术和工艺优化，课题成功实现了450-460nm的发光波长在350mA驱动电流下光功率423mW以上的LED器件制备，出光效率达到70%以上。该课题的顺利实施，为实现我国具有自主知识产权的GaN衬底外延材料的制备提供了技术支撑。