China logra un avance importante en la investigación sobre iluminación y aplicaciones de LED UV
A través de esfuerzos continuos, el tema "Investigación sobre la fabricación y tecnología de aplicación de LED UV profundo" en el marco del gran proyecto "Proyecto de Iluminación con Semiconductores" del Programa Nacional 863 en el campo de la tecnología de nuevos materiales del "11° Plan Quinquenal" ha logrado avances importantes en la investigación de materiales con alta composición de aluminio y en aplicaciones de dispositivos.
Las fuentes de luz semiconductora ultravioleta profunda tienen un valor de aplicación significativo en campos como iluminación, esterilización, tratamiento médico, impresión, detección bioquímica, almacenamiento de información de alta densidad y comunicaciones confidenciales. Los LED UV profundos con material AlGaN como región activa pueden cubrir longitudes de onda de emisión en la banda ultravioleta de 210-365 nm, lo que los convierte en un material ideal para realizar productos de dispositivos LED UV profundos en esta banda, con ventajas inigualables por otras fuentes de luz ultravioleta tradicionales.
Con el apoyo del Programa Nacional 863, el equipo de investigación se centró en llevar a cabo investigaciones sobre materiales y dispositivos LED UV profundos basados en MOCVD, enfatizando la solución de problemas como grietas superficiales en los materiales, mala calidad del cristal, baja composición de aluminio, incapacidad para lograr emisión de longitud de onda corta y diseño de materiales estructurales. Se lograron avances en algunas tecnologías clave y se obtuvieron materiales con alta composición de aluminio, sin grietas y con alta calidad cristalina. Sobre esta base, el proyecto fabricó con éxito por primera vez en China dispositivos LED UV profundos por debajo de 300 nm, logrando una salida de potencia a nivel de milivatios de los dispositivos y desarrollando módulos de esterilización UV profunda, con una tasa de esterilización probada superior al 95%.
(Editor responsable: zl)