美国普瑞实验室报告 硅氮化镓LED可交付160流明/瓦

　　普瑞（Bridgelux）公司在三月份的公告中称，它已成功的使用八英寸硅片，使元件达到135 流明每瓦，今日，普瑞发布的报告中指出，在实验室中采用八英寸硅氮化镓的LED的发光效率已接近生长在蓝宝石或碳化硅晶圆上的LED。

　　普瑞宣布，在实验室中组装在矽基板氮化镓（GaN-on-Si）上的LED能提供高效率高功率的白光LED，可实现160流明/瓦（冷白），125流明/瓦（暖白）的发光效率。这一性能实现说明使用8英寸晶片已接近那些性能最好的生长在蓝宝石或碳化硅晶圆上的LED。普瑞相信，矽基板氮化镓LED能从根本上降低固态照明（SSL）灯具和照明设备的成本。

在MOCVD反应器中的8英寸晶片

　　普瑞表示，此款LED冷白光的相关色温为4350K，暖白光的相关色温为2940K，暖白光的显色指数为80。其1.5毫米的蓝光LED在350mA时能提供高达59%的插接效率，这超出了所有其他供应商的公布值。该公司还声称，其sigma的波形均匀为6.8nm，中间光波长为455nm。

　　公司预计将在未来两年内生产出第一批商用矽基板氮化镓LED产品。目前最大的问题是降低产品的制造成本。

　　硅芯片的成本优势

　　硅晶片LED的制造成本在两个领域有一定优势，首先，半导体行业已证明有能力制造成本低的大型硅片。目前不仅硅元素的成本不断下降，而且也正在向更大的晶圆尺寸过渡。普瑞主管芯片技术的副总裁 Long Yang说：“不就人们就会发现，三个8英寸的硅片即相当于42个2英寸的蓝宝石晶圆。”其次，在LED生产过程的后期，完全自动化的硅晶圆厂更能节省人力，传统的LED晶圆厂需要大量人力。

8英寸矽基板氮化镓LED

　　硅片的挑战

　　硅晶片LED技术的一大难题是硅片和GaN层之间的热失配，这种不匹配可能会在外延生长过程或在稍后的室温下导致GaN层或弓形晶片的破裂。普瑞说，它已经利用自己的一项专利缓冲层技术解决了这个问题，可提供无裂纹“基本平直”的8英寸晶圆。

　　Long Yang说：“目前，还要面对的挑战是如何使8英寸的硅晶片能够实现兼容，以及在MOCVD反应器中穿过晶片时实现更好的均匀性，然后，就可以进行试验性的小批量生产。”