顶级专家：LED衬底最新研究进展与应用

实现高功率蓝色发光二极管(LED)、激光二极管(LD)和全波段InN-GaN实用化，并且达到其商品化，都需要合适的衬底材料。不同的衬底材料，需要不同的LED外延片生长技术、芯片加工技术和器件封装技术，衬底材料决定了半导体照明技术的发展路线。?

在2015年3月21-22日复旦大学举行的国际先进照明科技会议（ALST 2015）上，有三位专家将围绕“LED衬底”这个主题，从不同角度、层面作最新研究和应用进展的汇报——王新强教授《下一代发光器件的衬底设计及加工》、江风益教授《硅衬底薄膜型GaN基LED进展与应用》和张雄教授《制造UVLED的AlGaN基III族氮化物的MOCVD生长及其特性》。

王新强教授 下一代发光器件的衬底设计及加工

王新强，博士，北京大学物理学院长江特聘教授，博士生导师，国家杰出青年基金获得者。主要从事宽禁带半导体材料、物理与器件研究，迄今发表SCI论文130余篇，SCI引用逾1500次，在国内外学术会议上做邀请报告近30次，担任Elsevier出版社“Superlattices and Microstructures”编辑，担任多个国际会议的组织机构成员。

江风益教授 硅衬底薄膜型GaN基LED进展与应用

江风益，南昌大学教授、博士生导师、南昌大学副校长、材料研究所所长、教育部发光材料与器件工程研究中心主任、中国物理学会发光分会副理事长、国家半导体照明工程专家组成员。1984年获吉林大学物理系原子核物理专业学士学位，1989年获中科院长春物理所固体发光专业硕士学位。之后一直在南昌大学工作至今。江风益教授曾获中组部、中宣部、人事部和科技部联合授予的“全国杰出专业技术人才”称号；入选国家百千万人才工程（第一、二层次）；获中国优秀青年科技创新奖，被评为全国先进工作者、江西省十大科技明星。

江风益教授多年从事GaN基 LED 材料与器件研究，曾主持 863 项目、国家自然科学基金项目、电子发展基金项目等 10 余项。近年来在硅衬底GaN基蓝光材料及芯片制造技术上取得重大突破，形成了硅衬底半导体照明技术路线。

张雄教授 制造UVLED的AlGaN基III族氮化物的MOCVD生长及其特性

张雄，博士，东南大学教授、博士生导师。1985年获中国科技大学物理专业学士学位；1992年获日本东京大学应用物理系工学博士学位；1992至1996年在日本奥林巴斯（Olympus）株式会社任主管工程师；1996至2000年，在新加坡国立大学电子工程系任高级研究员；2000至2003年在美国硅谷高科技公司Nova Crystals任高级工程师；2004至2006年在加拿大Simon Fraser大学MOCVD研究中心任研究科学家；2006至2008年回国任无锡蓝星电子有限公司总经理；2009年至今于东南大学任教。张雄教授一直从事以GaAs，InP和GaN等为基础的化合物半导体材料的MOCVD外延生长和相关光电子器件，如LED，光调制器，面发光激光器和异质结双极晶体管（HBT）的工艺研发工作。发表在Appl. Phys. Lett., J. Appl. Phys., J. Crystal Growth, Optics Express, IEEE J. Quantum Electronics等国际一流学术期刊上的英文SCI论文51篇；英文学术专著2部；美国授权专利2项，新加坡授权专利1项，日本专利7项，中国专利18项（其中获得授权4项）。曾荣获日本政府文部省（教育部）国费留学生奖学金、新加坡李光耀杰出博士后奖学金、日本奥林巴斯公司最高荣誉奖—社长奖，并于2007年荣获江苏省首批引进的高层次创新创业人才奖。

链接：国际先进照明科技会议（ALST 2015）

2015年3月21-22日首届ALST科技会议将在复旦大学举办，本届ALST会议从上届LS会议 （LS:14, 意大利，科莫，2014年6月） 中挑选了部分最优秀的报告，由国际电光源委员会 （FAST-LS) 出面邀请，同时国内委员会也邀请了部分国内知名专家进行大会报告。会议议题包括LED材料与创新结构；LED在农业、医疗、白光通信等领域的创新应用等。大会将报告在这些议题的最新技术进展与发展趋势。

ALST 2015演讲嘉宾及研究题目

会议议程

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